Samsung 990 EVO MZ-V9E1T0BW - SSD - chiffré - 1 To - interne - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0

Samsung 990 EVO MZ-V9E1T0BW - SSD - chiffré - 1 To - interne - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0 MZ-V9E1T0BW
NC
Information
269 En stock
SamsungConstructeurSamsungRéf. Produit
MZ-V9E1T0BW
EAN
8806095300276
 
Général
Type de périphériqueLecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité1 To
Cryptage matérielOui
Algorithme de chiffrementAES 256 bits
Type de mémoire flash NAND3 bits par cellule (TLC)
FormatM.2 2280
InterfacePCIe 5.0 x2 (NVMe)
CaractéristiquesPrise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Support de mise en veille de l'appareil, Samsung V-NAND TLC Technology, S.M.A.R.T.
Largeur22 mm
Profondeur80 mm
Hauteur2.38 mm
Poids9 g
Performances
Débit de transfert interne5000 Mo/s (lecture) / 4200 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko20000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko90000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum800000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko680000 IOPS
Fiabilité
Fiabilité MTBF1.500.000 heures
Expansion et connectivité
Baie compatibleM.2 2280
Alimentation
Consommation électrique5.5 Watt (lecture)
4.7 Watt (écriture)
60 mW (en attente)
Logiciels & Configuration requise
Logiciel(s) inclusSamsung Magician Software
Divers
Normes de conformitéIEEE 1667
Détails du paquetBoîte
Garantie du fabricant
Service et maintenanceGarantie limitée - 5 ans
Caractéristiques d’environnement
Température minimale de fonctionnement0 °C
Température maximale de fonctionnement70 °C
Résistance aux chocs (au repos)1500 g @ 0,5 ms

 

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